Rumah > Produk > Semikonduktor elektronik > IRF7401TRPBF INFINEON N-Channel MOSFET SO-8 20V 5.7A resistansi rendah, penanganan arus tinggi dan switching yang efisien

IRF7401TRPBF INFINEON N-Channel MOSFET SO-8 20V 5.7A resistansi rendah, penanganan arus tinggi dan switching yang efisien

produsen:
IR / Infineon
Deskripsi:
IRF7401TRPBF N-Channel MOSFET SO-8 20V 5.7A
Kategori:
Semikonduktor elektronik
Persediaan:
1000000
IRF7401TRPBF.PDF
Spesifikasi
Jenis:
MOSFET Saluran-N
Vds (Tegangan Sumber Pembuangan):
20V
Rds(on) (On-Resistance):
0,022Ω @ 4,5V
Id (Arus Pembuangan Kontinyu):
5.7A
Vgs(th) (Tegangan Ambang Gerbang):
1V hingga 3V
Qg (Total Biaya Gerbang):
9,7nC @ 4,5V
Jenis Paket:
Pemasangan Permukaan, SO-8
Kisaran Suhu Operasional::
-55°C Hingga +150°C
Disipasi Daya:
2,5W
Kepatuhan:
Sesuai dengan RoHS
Pengantar

Ringkasan Produk

IRF7401TRPBF adalah kinerja tinggiMOSFET N-Channeldirancang untuk berbagai aplikasi yang membutuhkan switching dan amplifikasi yang efisien.,pengalihan beban, dan konversi DC-DC dalam sistem elektronik.

Fitur Utama

  • Low On-Resistance (Rds ((on)):0.022Ωpada 4,5V, memastikan kerugian daya minimal dan efisiensi tinggi.
  • Tegangan sumber pembuangan tinggi (Vds):20V, cocok untuk berbagai aplikasi tegangan rendah.
  • Arus pembuangan terus-menerus tinggi (Id):5.7A, memberikan kemampuan untuk menangani beban arus yang signifikan.
  • Tegangan ambang gerbang rendah (Vgs(th)):1V sampai 3V, memungkinkan kontrol yang mudah dan beralih cepat.
  • Total Gate Charge (Qg):9.7nC pada 4,5V, memungkinkan untuk beralih efisien dengan daya gerbang drive rendah.
  • Paket kompak:SO-8permukaan, memfasilitasi integrasi yang mudah ke dalam desain yang kompak dan terbatas ruang.
  • Rentang suhu operasi yang luas:-55°C sampai +150°C, memastikan kinerja yang dapat diandalkan dalam berbagai kondisi lingkungan.
  • Pembagian Kekuatan Tinggi:2.5W, memungkinkan perangkat untuk menangani beban daya yang substansial tanpa overheating.
  • Memenuhi RoHS: Memenuhi peraturan lingkungan, membuatnya cocok untuk digunakan dalam desain ramah lingkungan.

Spesifikasi Teknis

  • Jenis: MOSFET N-Channel
  • Vds (tekanan sumber pembuangan): 20V
  • Rds ((on)) (On-Resistance): 0,022Ω @ 4,5V
  • Id (Arus pembuangan terus menerus): 5.7A
  • Vgs(th) (Tentang Batas Gerbang): 1V sampai 3V
  • Qg (Total Gate Charge): 9,7nC @ 4,5V
  • Jenis Paket: Surface Mount, SO-8
  • Jangkauan suhu operasi: -55°C sampai +150°C
  • Pembuangan Kekuatan: 2,5W
  • Kepatuhan: Sesuai dengan RoHS

Bidang Aplikasi

  • Manajemen Daya: Ideal untuk digunakan dalam sirkuit manajemen daya, memastikan distribusi dan kontrol energi yang efisien.
  • Pergantian beban: Cocok untuk memutar beban dalam berbagai aplikasi elektronik, termasuk elektronik konsumen dan peralatan industri.
  • Konversi DC-DC: Meningkatkan efisiensi dan keandalan konverter DC-DC dengan menyediakan resistensi rendah dan beralih cepat.
  • Perangkat Portable: Sempurna untuk integrasi ke dalam perangkat elektronik portabel, menawarkan kinerja tinggi dalam paket yang kompak.
  • Elektronik Otomotif: Memastikan operasi yang dapat diandalkan dalam aplikasi otomotif, bahkan di lingkungan yang keras.

Pemasangan dan Penggunaan

IRF7401TRPBF dirancang untuk teknologi permukaan mount (SMT), sehingga mudah dipasang padaPapan sirkuit cetak (PCB)Penanganan dan penempatan yang tepat sangat penting untuk mencapai kinerja dan keandalan yang optimal.

Alasan untuk Membeli

Memilih IRF7401TRPBF memastikan Anda berinvestasi dalamMOSFET N-Channel berkualitas tinggidenganresistensi rendah, penanganan arus tinggi, dan switching yang efisienKomponen ini akan meningkatkan kinerja dan keandalan sirkuit elektronik Anda, memberikankinerja yang tahan lama dan efisien.

Beli IRF7401TRPBF hari ini untuk mengoptimalkan manajemen daya dan aplikasi switching Anda!

Hubungi Kami

Untuk informasi lebih lanjut atau dukungan teknis, silakan kunjungi situs web kami atau hubungi tim layanan pelanggan kami.

Kirim RFQ
Stok:
1000000
MOQ: