NPT1012B
![kualitas [#varpname#] pabrik](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
produsen:
MACOM
Deskripsi:
Transistor RF JFET DC-4.0GHz P1dB 43dBm Dapatkan 13dB GaN
Kategori:
Semikonduktor elektronik
Spesifikasi
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
44 W
Suhu Operasional Maksimum ::
+ 200 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 mA
Vgs - Tegangan Kerusakan Sumber Gerbang ::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
Pengantar
NPT1012B,dari MACOM, adalah RF JFET Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global,yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Produk terkait
MACOM Rf Dalam Semikonduktor MADP-007167-0287AT
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
MADP-007433-12790T 1,5 Ohm RF Semikonduktor 0,35 pF 75 V
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
| Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
|---|---|---|---|
|
|
MACOM Rf Dalam Semikonduktor MADP-007167-0287AT |
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
|
|
|
|
MADP-007433-12790T 1,5 Ohm RF Semikonduktor 0,35 pF 75 V |
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: