QPD1015L
Spesifikasi
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
20 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
70 W
Package / Case ::
NI-360
Suhu Operasional Maksimum ::
+85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
2.5 A
Vgs - Tegangan Kerusakan Sumber Gerbang ::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
64 W
Pabrikan ::
Qorvo
Pengantar
QPD1015L, dari Qorvo, adalah RF JFET Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: