QPD2730
Spesifikasi
Transistor Polarity ::
N-Channel
Teknologi ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Gaya pemasangan::
SMD/SMT
Gain ::
16 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
36 W
Package / Case ::
NI780-4
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
48 V
Packaging ::
Waffle
Maximum Drain Gate Voltage ::
55 V
Id - Continuous Drain Current ::
210 mA
Pd - Power Dissipation ::
18.6 W
Manufacturer ::
Qorvo
Pengantar
QPD2730, dari Qorvo, adalah RF JFET Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: