QPD1008L
![kualitas [#varpname#] pabrik](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
produsen:
Qorvo
Deskripsi:
RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Kategori:
Semikonduktor elektronik
Spesifikasi
Polaritas Transistor::
Saluran-N
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Memperoleh ::
17,5dB
Transistor Type ::
HEMT
Daya Keluaran ::
162 watt
Package / Case ::
NI-360
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
127 W
Manufacturer ::
Qorvo
Pengantar
QPD1008L, dari Qorvo, adalah RF JFET Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: