T1G2028536-FS
![kualitas [#varpname#] pabrik](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
produsen:
Qorvo
Deskripsi:
RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
Kategori:
Semikonduktor elektronik
Spesifikasi
Transistor Polarity ::
N-Channel
Teknologi ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18 dB
Tipe Transistor ::
HEMT
Output Power ::
260 W
Pd - Disipasi Daya ::
288 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 250 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
48 V
Id - Continuous Drain Current ::
24 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Manufacturer ::
Qorvo
Pengantar
T1G2028536-FS,dari Qorvo, adalah RF JFET Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global,yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: