TGF2955
Spesifikasi
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
19.2 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
46.4 dBm
Package / Case ::
Die
Suhu Operasional Maksimum ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Waffle
Maximum Drain Gate Voltage ::
100 V
Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan ::
2,5 A
Pd - Power Dissipation ::
41 W
Pabrikan ::
Qorvo
Pengantar
TGF2955, dari Qorvo, adalah RF JFET Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: