NE3508M04-T2-A
![kualitas [#varpname#] pabrik](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
produsen:
cel
Deskripsi:
RF JFET Transistors L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Kategori:
Semikonduktor elektronik
Spesifikasi
Polaritas Transistor::
Saluran-N
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Memperoleh ::
14 dB
Transistor Type ::
HFET
Pd - Disipasi Daya ::
175 mW
Package / Case ::
FTSMM-4 (M04)
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
4 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
120 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 3 V
Manufacturer ::
CEL
Pengantar
NE3508M04-T2-A, dari CEL, adalah RF JFET Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: