TGF2080
Spesifikasi
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 7 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
11.5 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
4.2 W
Package / Case ::
0.41 mm x 0.34 mm x 0.1 mm
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
12 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 12 V
Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan ::
259 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Pengantar
TGF2080,dari Qorvo, adalah RF JFET Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global,yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: