TGF2018
Spesifikasi
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 15 V
Teknologi ::
Gaas
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
14 dB
Tipe Transistor ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
0.64 W
Suhu Operasional Maksimum ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Gel Pack
Maximum Drain Gate Voltage ::
12 V
Id - Continuous Drain Current ::
58 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Pengantar
TGF2018, dari Qorvo, adalah RF JFET Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: