QPD1003
Spesifikasi
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
19.9 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
540 W
Package / Case ::
RF-565
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Tegangan Kerusakan Sumber Saluran ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
15 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Pd - Disipasi Daya ::
370 W
Manufacturer ::
Qorvo
Pengantar
QPD1003, dari Qorvo, adalah RF JFET Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: