T1G4012036-FS
Spesifikasi
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Kategori Produk ::
Transistor RF JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18.4 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Disipasi Daya ::
117 watt
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Kemasan ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 2.9 V
Id - Continuous Drain Current ::
12 A
Manufacturer ::
Qorvo
Pengantar
T1G4012036-FS, dari Qorvo, adalah RF JFET Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: