NPT2022
![kualitas [#varpname#] pabrik](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
produsen:
MACOM
Deskripsi:
RF JFET Transistors DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
Kategori:
Semikonduktor elektronik
Spesifikasi
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Kategori Produk ::
Transistor RF JFET
Mounting Style ::
Screw
Memperoleh ::
21 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
160 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
24 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
Pengantar
NPT2022, dari MACOM, adalah RF JFET Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Produk terkait
MACOM Rf Dalam Semikonduktor MADP-007167-0287AT
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
MADP-007433-12790T 1,5 Ohm RF Semikonduktor 0,35 pF 75 V
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
| Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
|---|---|---|---|
|
|
MACOM Rf Dalam Semikonduktor MADP-007167-0287AT |
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
|
|
|
|
MADP-007433-12790T 1,5 Ohm RF Semikonduktor 0,35 pF 75 V |
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: