Rumah > Produk > Semikonduktor elektronik > A3G26H502W17SR3

A3G26H502W17SR3

produsen:
NXP USA Inc.
Deskripsi:
RF Power Discrete Transistors
Kategori:
Semikonduktor elektronik
Spesifikasi
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
13.2
Avg Power (W) ::
80
Frequency Min (GHz) ::
2.496
Process ::
GaN
Frequency Max (GHz) ::
2.69
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Pengantar
A3G26H502W17SR3, dari NXP USA Inc., adalah RF Amplifier. Apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui “online chat” atau kirim penawaran kepada kami!
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: